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SSD固态硬盘SLC和MLC有什么差别吗?

SSD固态硬盘SLC和MLC有什么差别吗?

差别:

1、寿命:SLC的特点是寿命长,同样规格的MLC寿命比SLC要低。

2、芯片体积:SLC的芯片体积大,MLC体积比SLC小。

3、读写速度:SLC的读写速度一般,MLC的读写速度高。

扩展资料:

SLC的特点是成本高、容量小、速度快,而MLC的特点是容量大成本低,但是速度慢。

由于每个MLC存储单元中存放的资料较多,结构相对复杂,出错的几率会增加,必须进行错误修正,这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存。

读写速度快:

采用闪存作为存储介质,读取速度相对机械硬盘更快。固态硬盘不用磁头,寻道时间几乎为0。与之相关的还有极低的存取时间,最常见的7200转机械硬盘的寻道时间一般为12-14毫秒,而固态硬盘可以轻易达到0.1毫秒甚至更低。

防震抗摔性:

传统硬盘都是磁碟型的,数据储存在磁碟扇区里。而固态硬盘是使用闪存颗粒(即mp3、U盘等存储介质)制作而成。

SSD固态硬盘内部不存在任何机械部件,这样即使在高速移动甚至伴随翻转倾斜的情况下也不会影响到正常使用,而且在发生碰撞和震荡时能够将数据丢失的可能性降到最小。相较传统硬盘,固态硬盘占有绝对优势。

低功耗:

固态硬盘的功耗上要低于传统硬盘。

无噪音:

固态硬盘没有机械马达和风扇,工作时噪音值为0分贝。基于闪存的固态硬盘在工作状态下能耗和发热量较低(但高端或大容量产品能耗会较高)。

内部不存在任何机械活动部件,不会发生机械故障,也不怕碰撞、冲击、振动。由于固态硬盘采用无机械部件的闪存芯片,所以具有了发热量小、散热快等特点。

工作温度范围大:

典型的硬盘驱动器只能在5到55摄氏度范围内工作。而大多数固态硬盘可在-10~70摄氏度工作。固态硬盘比同容量机械硬盘体积小、重量轻。

固态硬盘的接口规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的相同,在产品外形和尺寸上也与普通硬盘一致。其芯片的工作温度范围很宽(-40~85摄氏度)。

轻便:

固态硬盘在重量方面更轻,与常规1.8英寸硬盘相比,重量轻20-30克。

参考资料:

百度百科-固态硬盘

百度百科-SLC MLC

slc是什么意思?

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网络释义 1. 盐湖城国际机场 美国犹他州盐湖城,盐湖城国际机场(SLC)…
2. 感光成孔 制程技术 成孔方法…SLC 感光成孔…FRL 感光成孔
3. 信令链路编码 SIB Service Independent BuildingBlock 业务独立构件…SLC Signaling Link Code 信令链路编码…SLS Signaling Link Selection 信令链路选择 4. 信令链路码 SLC SeLector Channel 选择器信道…SLC Signaling Link Code 信令链路码…SLC Simulated Linguistic Computer 模拟语言计算机

这个牌子的SLC U盘好吗

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别买,我有这个U盘

首先,U盘读写量远不及系统盘,不需要考虑寿命问题,一般来说U盘是不会掉速也不会坏的,不读盘等问题用diskgenius和傲梅分区助手通通可以解决。
其次,就算贴的flash的颗粒是slc或者mlc的,也有档次之分,档次细分有很多,大致分为3级,正片、白片和黑片。品牌货多数贴的都是黑片。正片tlc速度也比黑片slc快得多。
这个U盘主控为银灿is917,银灿的主控,4K小文件读写速度都垃圾,更何况917比903慢得多。我用as ssd测速,读42M/s,写41M/s,不管重装系统还是格式化U盘,都是这个结果。金田这个牌子,U盘都是银灿的主控,去淘宝看看就知道了。
买U盘不要买品牌货,高价低配性能差,买就买diy的U盘,也就是根据主控型号来买。U盘性能最强的是固态U盘,主控型号为2246xt(en),桥接的芯片为asm1153(1351),虽然有点贵,但是性价比很高,读写速度和固态硬盘是一样的。其次就数到ns1081、sm3350、sm3281和sm3280了,这些才是真正的U盘主控,sm3350最强,性能接近固态U盘。我买的是ns1081主控的U盘,在闲鱼上买的,读150写140,4K读写10M左右,as ssd总分80左右。这些diy的U盘,多数在闲鱼上

SLC,MLC和TLC三者的区别

SLC,MLC和TLC三者的区别

SLC,MLC和TLC芯片三者的区别

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SLC、MLC和TLC
X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell),原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料,直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后,架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。
2009年TLC架构正式问世,代表1个存储器储存单元可存放3位元,成本进一步大幅降低。
如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般,这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火,之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局,使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。
TLC芯片虽然储存容量变大,成本低廉许多,但因为效能也大打折扣,因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上,象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。

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